本发明公开了一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法,该方法包括:A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示;B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段,每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成;C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路;D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式;E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过VDD/2时,认为发生单粒子翻转错误。利用本发明,基于简单的解析模型,可以评估复杂电路中每一门电路的单粒子瞬态敏感度。
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来源：北方有色网
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