本发明公开了一种集成电路器件，该器件包括保护层及位于基底上的受保护电路，所述保护层配置成通过吸收透过基底射向受保护电路的激光辐射来保护受保护电路。所述器件可以配置成使得所述保护层的移除导致会使所述受保护电路失效的物理损坏。所述器件可包括突出到所述基底内且位于所述保护层与所述受保护电路之间的中间电路，其中，会使所述受保护电路失效的物理损坏是针对所述中间电路的损坏。所述器件可包括检测电路，其配置成检测所述器件的能够指示所述保护层的移除的电特性变化，以及作为对检测到该电特性变化的回应，致使所述受保护电路失效。
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来源：北方有色网
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