本发明提供一种改善半导体样品定点研磨过程中平坦性的方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体样品，所述半导体样品中包含用于失效分析的目标点；刻蚀所述半导体样品，形成包围该目标点的槽；在所述槽中填充金属，形成包围目标点的金属框。本发明可有效的避免半导体样品在研磨过程中由于累计按压造成的前层结构变形和人为因素引起的缺陷，以及对处于半导体样品边缘地带的目标点由于研磨速率快而导致的失效分析失败；提高样品研磨的平整度并克服边缘效应，进而提高失效分析的准确性。
声明：
“改善半导体样品定点研磨过程中平坦性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1040
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
