本发明是Si—MOS结构Al2O3湿度传感器，属 于指示环境湿度的元器件。它是在低阻Si衬底上通 过Al蒸发和阳极氧化及热处理制备一层稳定的多 孔α—Al2O3，从而使Al2O3湿度传感器改善或克服 了长期漂移问题，并能同时测量绝对湿度和相对湿 度。本发明的湿度传感器测湿范围宽、灵敏度高、重 复性和稳定性好，可广泛用于工业过程控制、环境湿 度检测、各种高纯气体水含量分析、气密封装电子器 件残留水分监测及电子器件的可靠性和失效机理研 究等。
声明：
“金属一氧化铝一硅结构湿度传感器及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
964
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
