本发明提供了一种三维MOS存储
芯片的样品制备方法及样品观测方法，所述芯片上包含失效地址、第一参考点和第二参考点；在所述芯片标上覆盖所述第一参考点的第一记号和覆盖所述第二参考点的第二记号；先研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；再对所述芯片进行平面样品制备，根据电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。在使用透射电镜对制备出的样品进行观测时，从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
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“三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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