一种基于UIS的SiC
芯片测试方法。涉及一种半导体器件测试方法。包括以下步骤：S100，将待测的
碳化硅功率器件进行电性检测，然后从电性检测合格的产品中选取若干只碳化硅功率器件在常温下分别进行UIS极限能力测试，测试出相应的UIS极限能力值，并计算平均UIS极限能力测试值，记作Emax；S200，第一次测试：将UIS极限能力测试的能量设置为Emax的25%‑30%；S300，第二次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的20%‑25%，S400，第N‑1次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的5%，这一步可以将缺陷密度小于0.1 cm‑2，甚至更低的管芯筛选出来；S500，第N次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的5%，最后一次复测，确保所有潜在风险的管芯被提前激发出来；更加有效解决了SiC功率器件在可靠性端PPM级失效问题。
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来源：北方有色网
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