一种半导体器件的可靠性测试结构及其测试方法，包括：第一金属结构和第二金属结构；与第一金属结构相连的第一导电插塞和第二导电插塞，与第二金属结构相连的第三导电插塞；横跨第一金属结构和第二金属结构并与第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞相连的金属线；所述第一金属结构、第一导电插塞、第二导电插塞和金属线构成金属互连线电迁移测试结构，所述第二金属结构、第三导电插塞和金属线构成金属互连线应力迁移测试结构。本发明通过将金属互连线电迁移测试结构和金属互连线应力迁移测试结构整合成一个测试结构，从而可以评估电迁移及应力迁移对金属互连线相互作用下的失效时间，进而提高半导体器件的可靠性测试的效率。
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来源：北方有色网
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