本发明提供一种闪存器件的测试结构及其制造方法，在第一金属互连层制造完成后就可以直接进行字线和控制栅极、字线与位线、位线与位线之间的桥接漏电测试，节约了现有技术中等待第二金属互连层、第三金属互连层的制作时间，同时第一金属互连层与有源区线、字线、控制栅极线之间的连接方式简化了第二金属互连层、第三金属互连层的互连结构，因此能够简化制程，降低失效分析所花费的时间和工艺成本。
声明：
“闪存器件测试结构及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1181
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
