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闪存器件测试结构及其制造方法

1178   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 09:00:14
本发明提供一种闪存器件的测试结构及其制造方法,在第一金属互连层制造完成后就可以直接进行字线和控制栅极、字线与位线、位线与位线之间的桥接漏电测试,节约了现有技术中等待第二金属互连层、第三金属互连层的制作时间,同时第一金属互连层与有源区线、字线、控制栅极线之间的连接方式简化了第二金属互连层、第三金属互连层的互连结构,因此能够简化制程,降低失效分析所花费的时间和工艺成本。
声明:
“闪存器件测试结构及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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