本发明涉及一种硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法，它是将实际测试结果进行温度修正，从而得到一个准确的金属电迁移寿命值。采取固定的加速电流，依靠电流产生的热来升高金属测试结构的温度；通过对多个金属测试结构温度的实际测量，取得一组金属测试结构的温度测试数据T1～Tn以及相应的失效时间t1～tn；采取数据归一化的方式，将一组实际测得的金属测试结构的温度值T1～Tn以一个共同的温度值T’作为换算公式的参数，进而得到相应金属测试结构的失效时间t1’～tn’。真正反映特定电流相对应的电迁移加速过程，从而快速准确地外推金属电迁移寿命。
声明：
“硅片级金属测试结构电迁移测试中的温度修正方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1001
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
