本发明涉及一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。第一步：从预用单晶棒的头尾切取硅片,加工成抛光片；第二步：模拟键合工艺的热过程，将硅片在400℃～600℃条件下进炉热处理3～5小时后取出；第三步：深度化学腐蚀，腐蚀时间为40～45min，腐蚀去除量为120～140μm时取出硅片；第四步：在硅片上画格，再用金相显微镜观察每一个方格，若存在直径大于100μm的腐蚀坑，则判定为不合格；效果是：通过模拟MEMS工艺热过程和深度化学腐蚀，能够提前判定硅单晶是否合格。若硅片经历热过程和深度化学腐蚀后出现直径大于100μm的较大腐蚀坑，此棵单晶棒则不投入生产，可避免硅片在制作器件工艺过程后发现失效，减小了损失。
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来源：北方有色网
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