本申请涉及一种GaN功率器件的状态监测方法、装置、计算机设备和介质，获取待测器件的结温，根据结温对待测器件进行功率循环测试，获取功率循环测试过程中的待测器件的电气参数，电气参数包括
芯片级失效参数，根据电气参数以及状态监测模型得到状态监测结果，当状态监测结果指示待测器件未发生失效时，返回根据结温对待测器件进行功率循环测试，获取功率循环测试过程中的待测器件的电气参数。通过监测待测器件在多次功率循环测试中的电气参数，将待测器件芯片级失效相关的参数纳入考量，通过状态监测模型对电气参数进行分析，从而能够高效对待测器件的工作状态作出监测，有效了提高GaN功率器件状态监测结果的全面性以及准确性。
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“GaN功率器件的状态监测方法、装置、计算机设备和介质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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