本发明属于半导体金属导线电子迁移测试技术领域，具体涉及一种半导体EM测试中
铜钽形貌的获得方法及其样品的制备方法。测试样品的制备方法包括步骤：1)预处理及减薄和减宽；2)FIB样品制备。铜钽形貌的获得方法还包括步骤：3)第一次TEM观察；4)去铜进行第二次TEM观测。通过本发明所提供的半导体EM测试样品的制备方法，可以一次制备多个TEM样品，并且不需要进行样品提取。而通过本发明所提供的半导体EM测试中铜钽形貌的获得方法，可以快速得到钽元素分布图以及铜形貌来更好地失效分析，从而解决直接用EDS或者EELS做钽面扫描不但占用机台大量的时间，而且长时间扫描内样品可能会发生一定的漂移，因而无法真实反映其形貌的技术问题。
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“半导体EM测试中铜钽形貌的获得方法及测试样品制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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