本发明揭露了一种MOS晶体管器件栅氧化层完整性(GOI)测试的方法,包括以下步骤:提供一测试电源;将多个待测MOS晶体管器件分别连接于所述测试电源;检测此时所述MOS晶体管器件漏电流;当所述漏电流突然变化时,开启侦测装置,检测所述MOS晶体管器件上的失效点。利用该方法,还可以在对MOS晶体管器件进行栅氧化层可靠性的测试时,特别是采用并行时间相关电介质击穿(TDDB)测试时,不仅可以评估待测器件的寿命,而且可以同步且及时而精确反映待测MOS晶体管器件栅极氧化层上失效点的具体情况,从而对器件进行进一步的失效分析。
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来源：北方有色网
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