本发明公开了一种快速检测
芯片堆栈结构间段差高度的方法,制作一块通用测试掩膜板;根据测试图形的形状及关键尺寸的大小建立一个能表征CD和台阶高度之间关系的标定系统;将测试图形以分批或组合的方式,规则且均匀的放置于通用测试掩膜板内;在硅片上涂布光刻胶;曝光、显影形成所需的测试图形;对所形成的测试图形关键尺寸进行测量或观测外观的变化;根据测量或观测的结果对照标定系统得出功率器件工艺中存在的台阶高度。本发明不仅能直接探测实际硅片状况,避免功率器件工艺开发过程中由台阶高度造成器件物理性失效,而且相对于传统方法降低了开发成本,以及对研发人员经验,理论基础的依赖程度。
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来源：北方有色网
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