本发明公开了一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法，电路包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路，方法包括对功率MOS管施加一定的偏置，在重离子辐照的情况下检测MOS管的源极电流，通过电流变化曲线来判断MOS管单粒子烧毁（SEB，single-event burnout）现象是否发生。本检测方法根据MOS管器件性能参数，设置器件的源极和漏极限流电阻和充放电电容，来保证SEB现象发生时的源极电流在可被检测的范围内，同时又确保器件未被烧毁而造成MOS管的破坏性失效。本发明方法简单，可以检测一只MOS管SEB效应的多次发生，同时又具有非破坏性的特点。
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来源：北方有色网
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