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金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法

1085   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 09:00:00
本发明提供一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法。基于本发明提供的方法通过简单的电路连接,用探针测试就可以锁定漏电位置;通过本发明的方法能够提高漏电失效分析效率,降低漏电分析成本,而且漏电位置定位准确。
声明:
“金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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