随着微电子技术的高速发展，集成电路的规模越来越大。由于制造工艺的原因，电路失效是无法避免的存在，如何快速准确地查找失效部位是失效分析工作的重点。现在一般通过EMMI（红外发光显微镜）、OBIRCH（激光扫描显微镜激光诱导电阻率变化）、离子探针等技术来定位漏电失效部位，但这些方法仪器昂贵、成本高、周期长。本发明利用IC不同浓度的掺杂区在被氧化腐蚀时所处的电位不等，反应速率不一样，经腐蚀后表面产生不同的颜色；而当存在漏电通路时，由于处于同一电位，腐蚀速率相同，颜色就会表现一样的原理。通过氢氟酸与硝酸混合液对IC中的硅产生持续腐蚀作用，提供了一种分析方便、成本低廉、可靠性高的IC中集电极发射极漏电的三极管检测方法。
声明：
“双极IC中集电极发射极漏电的三极管检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1149
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
