一种基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法，用于IGBT失效分析与可靠性评估。根据封装内部各结构层的尺寸，建立简化的三维IGBT热仿真模型。对该模型各个层赋以相对应的材料热学特性，然后进行网格划分以及设定该模型的边界条件和初始条件。模型通过相应的实验进行合理性验证后，对比分析结果，得到
芯片表面峰值温度随空洞体积变化的曲线。根据器件不同的应用条件和环境，可分别进行相应的模型仿真来得到空洞对芯片温度分布的影响。可以利用仿真结果辅助对器件进行可靠性评估等。
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来源：北方有色网
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