本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，包括步骤：采用EMMI分析方法获取缺陷位置，缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米；采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品，TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径；对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效，实现更快速准确的定位与分析确认。
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来源：北方有色网
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