本发明涉及一种基于连续损伤力学的微米烧结银
芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，包括以下步骤：步骤一：结合外界温度载荷剖面和初始条件，分析微米银粘接层几何结构受力情况；步骤二：结合几何结构的受力分析，假设损伤过程为近似单调加载的剪切力作用；步骤三：结合代表体积单元的微观缺陷检测图像，建立烧结银非线性损伤过程的内参量损伤变量；步骤四：基于连续损伤力学基本理论，构造包含损伤变量的损伤演化方程；步骤五：结合剪切强度测试结果确定失效阈值，代入试验条件和缺陷数据确定模型中未知参数取值；步骤六：结合验证试验组测试数据，验证模型预测结果的合理性。本发明涉及一种微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法，主要基于连续损伤力学理论，进行微米烧结银芯片粘接层的几何尺寸分析，外载荷加载剖面和初始条件确定，应力应变场的模型推导，临界失效阈值确定及最终的可靠性寿命预测，属于元器件可靠性评价技术领域。
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“基于连续损伤力学的微米烧结银芯片粘接层疲劳失效物理模型建模与验证方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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