本发明提供一种
芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤：1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3）于所述研磨面表面形成保护层；4）去除剩余的封装膜塑；5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数，研磨过程中芯片不会弯曲，而且，封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸，增加研磨时的方位可控性；后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜，然后进行抛光便可获得平坦的目标层。
声明：
“芯片失效分析样品的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1046
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
