本发明涉及一种
芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。
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来源：北方有色网
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