本发明公开了一种p型
铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，是先按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；再将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1－xMxO2薄膜，0≤x≤0.25。制得的铜铁矿结构多晶CuCr1－xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有较高的电导率和可见光透过率，实验结果具备可重复。
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来源：北方有色网
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