本发明属于无损检测相关技术领域，其公开了一种交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法，该方法包括以下步骤：(1)提供实验平台，并分别确定所述实验平台中的激励传感器的最佳激励偏置磁场强度及接收传感器的最佳接收偏置磁场强度；(2)基于最佳激励偏置磁场强度、最佳接收偏置磁场强度及固定覆盖率，分别确定激励传感器的环形线圈的最佳线径及接收传感器的环形线圈的最佳线径；(3)分别基于得到的最佳线径及磁场强度计算公式计算得到激励传感器的环形线圈的设计匝数及接收传感器的环形线圈的设计匝数，由此完成结构参数的优化，所述结构参数包括环形线圈的线径及匝数。本发明提高了传感器的换能效率，适用性较强。
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“交叉线圈式磁致伸缩扭转导波传感器结构参数的优化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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