本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路。该电路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至MHz。器件采用了硅衬底，并采用了Q1和Q2双晶体管片上设计，两个晶体管共用一个晶圆，减小体积、降低成本、提升可靠性控制。器件还采用了集成式反向并联二极管结构，提升器件的反向导通特性。电路通过功率电路主变压器中的第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Q1提供驱动信号，无须控制
芯片，Q1的驱动需要通过针对GaN HEMT器件特殊的驱动缓冲电路来保证其可靠驱动。电路进一步采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。
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来源：北方有色网
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