本发明公开了一种判定晶体管键合弹坑的方法，检测步骤为：1)配氢氧化钠溶液，放入烧杯，加热；2)将键合好的样品完全浸入氢氧化钠溶液中；3)键合
铝丝和
芯片表面的铝完全反应掉后，取出，用酒精清洗干净后，在显微镜中观察；4)观察清洗后的芯片，在键合点位置是否有损伤，如果有损伤，说明当前键合工序键合是有问题的，需要调整，如无损伤，说明当前键合工序键合是有问题的。本发明通过化学方法对样品进行腐蚀解剖，去除芯片表面的铝层，观察铝层下面的硅层状态来判断键合质量的好坏，检测步骤简单，检测效果好。
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来源：北方有色网
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