一种基于表面增强拉曼散射效应的
碳纳米管太赫兹传感模型，由碳纳米管球阵列和半导体基底构成，碳纳米管球阵列位于半导体基底材料表面，阵列结构为线型阵列或环形阵列；碳纳米管球半径为0.1-300微米，球与球的表面距离为1-100纳米；半导体基底为介电常数为4-20的任意
半导体材料；太赫兹电磁波从传感模型的侧面入射，当太赫兹电磁波的入射频率与传感模型的等离子共振频率接近时，产生最高的等离子体局域电场增强。本发明的优点是：该碳纳米管太赫兹传感模型，使吸附分子的接触面积增大、灵敏度高、检测成本低；应用太赫兹波为入射波，使目标待检物得范围更广、生物适应性更好，在无损探测，医疗检测上有更广泛的应用。
声明：
“基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
993
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
