本发明涉及一种
碳化硅基底上的
石墨烯的层数测量方法。本发明属于光谱分析技术领域。碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法，工艺步骤：(1)利用热解外延法在碳化硅的硅面生长出具有厚度层数的石墨烯样品；(2)利用X射线光电子能谱对样品进行测量；(3)利用扫描到的XPS能谱，计算284.5eV处C-C键中的C1s电子的衍射光子积分强度，以及282.9eV处Si-C键中的C1s电子的衍射光子积分强度；(4)将衍射光子积分强度带入到衍射光子积分强度与石墨烯厚度的函数关系式中，求出样品的石墨烯厚度；(5)将石墨烯厚度与石墨烯的原子层间距作比，得到样品石墨烯的层数。本发明具有快速、准确测量，无需将石墨烯从基底上剥离，无损测量，方便器件加工和性能测试等优点。
声明：
“碳化硅基底上的石墨烯的层数测量方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1070
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
