本发明公开了一种测量
半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微结构缺陷虽然自身很小，但是会在其周围产生一个相对自身很大的应变分布场，而该应变场会产生光学反射各向异性信号，该测试方法通过测量微结构缺陷周围每一测量点处光学反射各向异性信号，从而可以直接获得微结构缺陷附近与应变场相关且随着空间位置变化的光学反射各向异性显微成像图，进而获得缺陷的种类、密度和应变分布等信息。本发明对材料微结构缺陷的表征具有操作简便快捷、无损伤、可移植性强等优点。
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“测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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