一种
半导体材料表面光电压的测量方法，其特征是方法步骤为：（1）准备需要测量的表面清洁的半导体材料；（2）准备好开尔文探针系统和照射光源；（3）利用开尔文探针系统测量在光照射前后半导体材料表面电子功函数的变化曲线图，读取光照射前后材料表面的电子功函数值；（4）计算得出半导体材料表面光电压。本发明的特点是：利用开尔文探针测量半导体材料在光照射前后的电子功函数变化，从而获得表面光电压数据。本发明的优点是：该测量方法是一种无损检测方法，具有操作简单便捷、经济实用、数据精确等优点。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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