本发明涉及一种
碳化硅晶体导电类型的无损判定方法，使用紫外‑可见‑近红外分光光度计，对待测的SiC样品进行光谱透过率测量，探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向，测量指标为吸光度，根据公式α=｛A﹢2log10(1‑R)｝/(d/ln10)（1）计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线，从曲线中获得紫外吸收边位置Eg；根据半绝缘类型的紫外吸收边位置判定标志与吸收边位置Eg进行比较，获得半绝缘晶片导电类型，有益效果是采用基于光谱分析法，对高纯半绝缘碳化硅晶片的导电类型进行检测和筛分的方法，对待测样品无损伤，检测过程易于自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
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“碳化硅晶体导电类型的无损判定方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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