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半导体器件的制备工艺

959   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:57:04
本发明提供一种半导体器件的制备工艺,通过采用化学下游刻蚀工艺在湿法刻蚀之前先对先前形成的沟槽进行表面进行平滑处理,从而使得在后续湿法刻蚀工艺中能够较好地控制沟槽的形貌,并且通过在湿法刻蚀之后对沟槽的参数进行测量,从而基于这些参进一步优化刻蚀工艺中的工艺条件,使得能够更为精确地控制刻蚀之后形成的源漏沟槽的形貌和尺寸。
声明:
“半导体器件的制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
         
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