本发明公开了一种多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法，采用双槽
电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层，利用水热法在多孔硅上原位生长氧化钨纳米棒，制得复合结构的多孔硅基三氧化钨纳米棒，再利用磁控溅射法在其表面沉积形成两个铂点电极。本发明提供了一种制备过程简单，易于控制、实现室温下对氮氧化物气体探测，具有高灵敏度等优异气敏特性的新型多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构的气敏传感器元件。
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来源：北方有色网
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