本发明公开了一种无损、快速、准确表征ta-C膜键态结构的方法。首先，在石英或硅衬底上制备ta-C薄膜，然后利用紫外/可见/近红外分光光度计与光谱型椭偏仪分别测量ta-C薄膜的透射率T与椭偏参数Ψ和Δ，再以该参数为拟合参数，通过建立衬底层、ta-C薄膜层以及表面粗糙层的数学物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系数kf，最后分别确定具有纯sp2C、纯sp3C键态的材料的光学常数，在EMA近似下采用Bruggeman算法拟合，即得到ta-C薄膜中化学键sp3/sp2的含量。与现有的表征方法相比，本发明具有对样品要求低、表征过程快速简单易行，对样品无损坏，以及表征精度与准确性较高的优点，具有良好的推广应用价值。
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“无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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