本发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法，首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽
电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；再以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；最后，在水平管式炉中，以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，600～750℃条件下，制得多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的气敏材料。本发明降低了制备氧化钨纳米线生长温度，显著提高了复合结构气敏材料的比表面积，在150℃的条件下对2ppm?NO2的灵敏度为4.76，具有制备工艺简单，易于控制，成本低廉以及对NO2高灵敏度探测等优点。
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来源：北方有色网
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