本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：(1)准备温度控片；(2)反应腔升温并进行HCL清洁；(3)冷却至室温，装入温度控片；(4)以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤；(5)取出温度控片进行化学处理；(6)对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；(7)清洗待外延的硅片并重复步(2)的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布，更好控制滑移线的产生。
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来源：北方有色网
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