本发明公开了一种硒化
铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法，其包括下述步骤：S1、制备Cu
2‑xSe溶液，作为涂覆液；S2、将涂覆液涂覆在导电基板上，使Cu
2‑xSe附着在导电基板上形成Cu
2‑xSe膜；S3、以具有Cu
2‑xSe膜的导电基板作为工作电极，以含
锂溶液作为电解质，构建三电极体系；S4、将三电极体系电连接至
电化学工作站上，以控制锂离子在Cu
2‑xSe中的脱嵌，同时原位监测Cu
2‑xSe膜在750nm～1500nm下的吸收值；在‑1.0V～‑1.2V下，锂离子嵌入至Cu
2‑xSe内，LSPR消失，在‑0.4V～‑0.2V下，锂离子从Cu
2‑xSe中脱出，LSPR恢复。根据本发明的调控方法，通过在还原电位下嵌入锂离子减少空穴载流子浓度，降低LSPR吸收直至消失，而在氧化电位下脱出锂离子，增加载流子浓度恢复LSPR，从而实现了对Cu
2‑xSe的LSPR动态、精准和可逆调控。
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“硒化铜纳米颗粒局域表面等离激元的调控方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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