本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属铼箔(Re)为铼源，
金属钼箔(Mo)为钼源，金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上，衬底倒扣在金属钼箔上，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2/MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体，呈现出显著的发光性质，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域，在高效光探测器领域中有潜在的应用。
声明：
“二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1111
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
