本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体，所述晶体的化学式为RbxK(1－x)TiOPO4，0.01＜x＜0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb : KTP晶体的制备方法，包括以下步骤：在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀，制成Rb : KTP晶体原料；将制成的Rb : KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点；向熔化的原料中加入籽晶使Rb : KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb : KTP晶体与KTP晶体相比，具有很低的电导率，能够满足作为电光器件的电导率要求，在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏；晶体的吸收系数比较稳定，经实验测试具有很好的抗灰迹性能。
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来源：北方有色网
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