本发明公开了一种纳米Cu3SbS4三元
半导体材料的制备方法。将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐，球磨罐密封后放入在手套箱里，充满惰性气体除去原材料中的氧气；将球磨罐安装在球磨磨机上球磨，调整球磨机马达的运转速率为1200r/min以上，粉末5h后纳米Cu3SbS4三元半导体材料生成。所制得的四硫锑三
铜纳米晶化学成分均匀、结构单一，表面没有杂质等覆盖物，很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能，使其能成为一种可实用化的光电器件材料，如可用于红外探测、红外遥感、夜视仪等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型，且可实现大批量生产等优点。
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“纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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