本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi
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2Se薄膜。本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi
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2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi
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2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi
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2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi
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2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。
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“高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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