本发明提供了一种制备半导体集成电路器件金属横截面样品的新方法,该方法包括传统方法中对半导体集成电路器件用树脂进行镶嵌，再进行机械研磨抛光,并创新地采用化学腐蚀，解决了机械研磨抛光后延展性较好的金属横截面变形较严重的问题。采用该方法制备的样品可在光学显微镜或扫描电子显微镜下准确地测量各层金属的厚度。本发明具有成本低、周期短、易操作、无毒害的特点。
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来源：北方有色网
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