本发明属于针对薄膜生长过程性能演化的逆向研究领域，具体涉及一种SiO2薄膜生长过程微结构演化的研究方法，其可用于评价SiO2薄膜生长过程微结构演化规律。该研究方法采用化学溶液腐蚀方法，通过对SiO2薄膜分层腐蚀，分别对腐蚀的SiO2薄膜进行红外介电常数测试，进而实现对不同厚度的SiO2薄膜短程有序结构评价，对于深入理解SiO2薄膜生长过程的微观结构具有重要意义，为薄膜材料生长过程性能演化规律的研究提供了逆向研究方法。该方法避免了传统分层制备方法的周期长、成本高等缺点，为薄膜的生长过程逆向研究提供了新方法。
声明：
“SiO2薄膜生长过程微结构演化的研究方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1051
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
