本发明属于针对薄膜生长过程性能演化的逆向研究领域，具体涉及一种SiO2薄膜生长过程微结构演化的研究方法，其可用于评价SiO2薄膜生长过程微结构演化规律。该研究方法采用化学溶液腐蚀方法，通过对SiO2薄膜分层腐蚀，分别对腐蚀的SiO2薄膜进行红外介电常数测试，进而实现对不同厚度的SiO2薄膜短程有序结构评价，对于深入理解SiO2薄膜生长过程的微观结构具有重要意义，为薄膜材料生长过程性能演化规律的研究提供了逆向研究方法。该方法避免了传统分层制备方法的周期长、成本高等缺点，为薄膜的生长过程逆向研究提供了新方法。
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来源：北方有色网
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