本发明公开了一种在一些介电或半导体基材上直接制备高品质三维
石墨烯的方法。该方法不需要外加催化剂，且同时兼具制备时间短、成本低廉等特点。在生产中可以通过使用不同类型的设备实现该方法，如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等。将由该方法制得的三维石墨烯具有较高品质，且因其具有超大表面积，可作为超级电容器或电容性分子探测器的理想材料。
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“三维石墨烯之直接制备方法及其在超级电容器上之应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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