本发明公开了相变存储器
芯片的封装方法，具体为：首先将需要封装的芯片固定在封装管壳内，然后采用超声键合技术将芯片的电极与管壳的引脚一一相连，最后使用屏蔽盖将其与外界隔离。本发明由于超声键合不需要一个临界键合温度，可在常温下进行，因此对相变存储器芯片本身特性不会有影响；键合时不加电流，不发生熔化，对材料的物理、化学性能没有任何影响，不会形成任何化合物而影响器件的性能，能保持其清洁度，不需经繁琐的清洗处理而直接进行封装，从而达到稳定性好、精度高、重复性好的测试需求。
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来源：北方有色网
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