本发明属于
半导体技术领域，具体涉及一种用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法，该结构包括探测器
芯片基板和铟柱；铟柱设置在基板上；制作方法包括：用蒸发‑光刻的方式制作一层与铟高浸润的UBM金属打底层；在UBM打底层上旋转涂布一层高分子聚合物掩模并用退火的方式固化；将高分子掩模层盖住UBM打底层的区域刻蚀掉，形成铟柱模型孔；采用双层厚胶剥离的方式在回溶区域上制作一块底面铟层；去掉铟柱表面氧化层后，通过在有机溶剂中高温加热的方式进行回溶整形；最后用化学清洗剂将下面的高分子聚合物去掉，形成铟柱；本发明通过调节铟柱模型孔的大小和深度，获得形貌、大小、高度可控的铟柱。
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“用于大面阵混成式焦平面的铟柱结构及制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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