本发明公开了一种基于导电基底直接生长氮掺杂碳‑
钴复合物微片阵列的超级电容器负极及其制备方法，所述负极包括导电基底、N掺杂碳微片，所述导电基底呈多孔状，所述N掺杂碳微片呈叶片状并阵列垂直分布于导电基底上，所述N掺杂碳微片包含均匀分布的Co纳米粒子。发明公开的负极结构氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列直接生长在导电基底上，其具有很高的电子迁移率，有利于实现快速充放电，将所述负极进行
电化学性质测试，在不同的扫速下，所述电极的循环伏安均显示相似的矩形形状，不同的电流密度下充放电曲线均显示线性特点，其表现了
碳材料双电层特征。在增大电流密度时，所述电极的质量比容量变化较小，表明其作为超电容器负极有较好的倍率特性。
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“基于导电基底直接生长氮掺杂碳‑钴复合物微片阵列的超级电容器负极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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