本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积可控制备不同氧含量SiON薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积PEALD制备技术，通过使用前驱体四（二甲氨基）
硅烷作为硅源，N
2与O
2等离子体作为氮源和氧源。将其同时通入反应腔体，通过调控N
2与O
2反应气体的流量比，在基底上实现氧含量精确可控的高质量SiON薄膜生长。相比其他传统的物理或化学镀膜方法，本发明制备方法生长温度低、简易高效，不仅可以实现SiON薄膜中氧氮含量的精确调控，而且可以达到生长的薄膜厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的氧含量可调控的SiON薄膜在传感器、光电探测、微电子器件等领域具有广泛的应用前景。
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来源：北方有色网
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