本发明公开了一种制备一维ZnO纳米棒晶薄膜 的电场辅助的方法，步骤依次为：将 Zn(NO3) 2·6H2O与NaOH 溶解于水中，搅拌均匀；置于30～90℃的水浴中；用三电极化 学沉积系统进行恒电位沉积，以涂覆ZnO溶胶作为种底的导电 玻璃为阳极，铂片为对电极，饱和Ag/AgCl电极(vs Ag/AgClsat)为参比电极，在500 －1300mV的外加电压下沉积；将衬底取出，清洗后，于烘箱 中干燥，获得ZnO一维纳米棒晶薄膜材料。本发明通过施加并 调节外电场的大小，有效控制了ZnO的生长形态，提高了生长 速度；本发明广泛应用在发光二极管、光探测器、光敏二极管、 气敏传感器、
太阳能电池等方面。
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来源：北方有色网
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