本发明属于
复合材料制备技术领域，提供了一种Si基Ge掺杂
石墨烯复合材料的制备方法，采用离子束溅射法制备Si基Ge掺杂石墨烯，所述方法包括以下步骤：将Si基石墨烯基片放入生长室，抽真空后通过Ge沉积（200~800℃）、退火(0~30min)工艺获得Si基Ge掺杂石墨烯复合材料。本发明优势：Si基复合材料可与现行成熟Si微电子工艺兼容；实现了Ge对石墨烯中C原子的取代掺杂，形成Ge‑C键合；避免化学法在原子周围产生支链，及支链势垒影响载流子的输运特性。本发明的复合材料具有高载流子浓度和迁移率，可用于微电子器件、
太阳能电池及红外探测等领域。
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“Si基Ge掺杂石墨烯复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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